Uno de los principales problemas que nos encontramos es que no existen materiales adecuados que cumplan con las prestaciones cada vez más sofisticadas que se les exige a los productos electrónicos. Como consecuencia, en muchas ocasiones, gran parte de los desarrollos relacionados con esta tecnología se ven ralentizados, aplazados e incluso abandonados.
Con el objetivo de cubrir esta demanda de nuevos materiales surge el proyecto NANO4INKS en el que hemos formulado tintas conductoras y semiconductoras basadas en nanopartículas avanzadas para imprimirlas con la tecnología inkjet.
Durante este segundo año de proyecto, hemos sintetizado nanopartículas (NPs) formadas por un núcleo de sílice recubierto de plata (SiO2@Ag) con la idea de sustituir a un precio más competitivo la plata que se utiliza actualmente.
Las segundas son de óxido de zinc dopado con óxido de aluminio (AZO), que tienen naturaleza semiconductora y comportamiento tipo n. Y las terceras son de óxido de molibdeno (MoO3), también semiconductoras pero de tipo p.
Con las nanopartículas producidas en el proyecto hemos trabajado en un proceso de formulación y molienda y hemos obtenido las tintas electrónicas.
La primera tiene la capacidad de conducir la electricidad y con ella se podría sustituir, por ejemplo, un cableado.
Las otras 2 tintas son semiconductoras de tipo n y p, que son materiales que se están empezando a implantar en el mercado como excelentes sustitutos de los óxidos de indio, que son más caros y escasos.
Para validar los materiales desarrollados, hemos diseñado y fabricado diodos que nos han permitido evaluar su comportamiento y comprobar que los materiales funcionan.
Por tanto, gracias a materiales como los desarrollados en el proyecto, se abre la puerta a la fabricación de dispositivos impresos cada vez más complejos como, por ejemplo, la fabricación de pantallas táctiles completamente planas o celdas fotovoltaicas totalmente impresas.
